純水中におけるシリコン酸化膜の形成

　半導体集積回路やマイクロ機械の作製において必要不可欠な絶縁材料であるシリコン酸化膜の成膜には，熱酸化法やCVD法（化学気相成長法）などが用いられますが，いずれも高温雰囲気が必要です．一方，構造の微細化・複雑化に伴いプロセス温度の低温化が望まれています．そこで本研究では陽極酸化法に着目し，シリコン基板の低温酸化について検討しています．電解液中に設置した基板間に電圧を印加すると陽極側で酸化が進行することが知られており，これまでに「室温の純水中」においてシリコン酸化膜の成膜が可能であることを確認してきました．ただし，その電気的特性は熱酸化膜に比べ劣ることが確認されています，そこで現在，

　・超純水が大気と接触しない流水純水中で成膜可能な陽極酸化装置

　・高圧純水蒸気中で成膜可能な陽極酸化装置

などについて検討を進め，電気的特性の改善を目指しています．