論文・解説
高橋芳浩，塩野光弘，髙野忠：「電界結合型非接触スリップリングの設計及び試作」，
電子情報通信学会論文誌B, Vol.J105–B, No.3, pp.375-378,2022.3.
和田雄友, 呉研, 高橋芳浩：「微細SOIデバイスの重イオン照射誘起寄生バイポーラ効果抑制」
日本信頼性学会誌, Vol.39, No.3, pp.145-153, 2017.
高橋芳浩：「半導体デバイスに対する宇宙放射線照射効果」
日本信頼性学会誌「信頼性」, Vol.36, No.8, pp.460–467, 2014.
高橋芳浩，平尾敏雄，小野田忍：「MOS構造の重イオン照射誘起電流およびトータルドーズ効果」
電子情報通信学会論文誌，Vol.J95-C, No.9, pp.196-203, 2012.
A. Makihara, T. Ebihara, T. Yokose, Y. Tsuchiya, A. Amano, H. Shindou, R. Imagawa, Y. Takahashi,
and S. Kuboyama:
“New SET Characterization Technique Using SPICE for Fully Depleted CMOS/SOI Digital Circuitry”,
IEEE Trans. on Nuclear Science, Vol. 55, No. 6, pp. 2921-2927, 2008.
Y. Takahashi, T. Ohki, T. Nagasawa, Y. Nakajima, R. Kawanabe, K. Ohnishi, T. Hirao, S. Onoda,
K. Mishima, K. Kawano, and H. Itoh :
"Heavy-ion induced current through an oxide layer"
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Vol.B-260, No.1, pp.309-313, 2007.
A. Makihara, T. Yamaguchi, H. Asai, Y. Tsuchiya, Y. Amano, M. Midorikawa, H. Shindou, S. Onoda,
T. Hirao, Y. Nakajima, Y. Takahashi, K. Ohnishi, and S. Kuboyama:
"Optimization for SEU/SET Immunity on 0.15μm Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Devices"
IEEE Trans. on Nuclear Science, Vol.53, No.6, pp.3422-3427, 2006.
岩崎文雄，大西一功：
「形状・窓径が可変なZCTセンサの開発研究」
電気学会論文誌B, Vol.126, No.12, pp.1275-1282, 2006.
岩崎文雄，大西一功：
「ロゴスキーコイルによる零相電流検出の特性向上に関する検討」
電気学会論文誌B, Vol.126, No.11, pp.1112-1120, 2006.
高橋芳浩、芝田利彦、大西一功、平尾敏雄、小野田忍、神谷富裕：
「MOS構造における重イオン照射誘起電流」
電子情報通信学会論文誌，Vol.J89-C, No.3, pp.104-112, 2006.
大西一功：「MEMS研究最前線 東京大学生産技術研究所藤田研究室」
日本信頼性学会誌「信頼性」，Vol.27, No.2, pp.122-126, 2005.
大西一功：「半導体シングルイベント効果研究の現状」
放射線, Vol.30, No.3, pp.235-243, 2004.
大西一功：「放射線による半導体素子の劣化・故障」
日本信頼性学会誌「信頼性」，Vol.26, No.1, pp.37-45, 2004.
高橋芳浩：「衛星搭載半導体デバイスに関する研究」
テクノニュースちば，Vol.29, pp.10-11, 2003.
大西一功，松田純夫：
「半導体素子に対する放射線照射効果 ～最近の研究傾向～」
電子情報通信学会誌，Vol. J85，No. 9，pp. 662-669，2002．
K. Ohnishi, A. Ito, Y. Takahashi, S. Miyazaki:
"Growth and Characterization of Anodic Oxidized Films in Pure Water"
Jpn. J. Appl. Phys.，Vol.41，No.3A，pp.1235-1240，2002．
大西一功、梨山勇：
「第37回原子力および宇宙放射線照射効果会議(NSREC)報告」
応用物理，Vol.70, No.2, pp.203-204, 2001.
松田純夫、大西一功：
「第4回宇宙用半導体素子放射線影響国際ワークショップ報告」
応用物理，Vol.70, No.2, p.202, 2001.
Y. Takahashi, K. Ohnishi, T. Fujimaki, M. Yoshikawa:
"Radiation-Induced Trapped Charge in Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Structure"
IEEE Trans. Nuclear Science，Vol. 46，No. 6，pp.1578-1585，1999．
高橋芳浩，大西一功：
「傾斜エッチング法を用いたMetal-Nitride-Oxide-Si構造絶縁膜中の固定電荷分布及び電荷量の絶縁膜厚依存性評価」
電子情報通信学会誌，Vol. J82-C-II，No. 1，pp. 23-30，1999．
吉川正人，大島武，伊藤久義，梨山勇，高橋芳浩，大西一功，奥村元，吉田貞史：
「炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム」
電子情報通信学会誌，Vol. J81-C-II，No. 1，pp. 140-150，1998．
出口泰，大西理雄，高橋芳浩，大西一功：
「光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果」
電子情報通信学会誌，Vol. J80-C-II，No. 4，pp. 131-138，1997．
M. Yoshikawa, K. Saitoh, S. Yoshida, H. Okumura, Y. Takahashi, K. Ohnishi:
"Depth profile of trapped charges in oxide layer of 6H-SiC metal-oxide-semiconductor structures"
Journal of Applied Physics, Vol. 80, No. 1, pp. 282-287, 1996.
大西一功，高橋芳浩，小松茂，吉川正人：
「シリコン窒化膜のγ線照射による電子-正孔対発生量評価およびMNOS構造の電荷捕獲現象の解析」
JAERI-Research，Vol.95-090，1996．
Z. Wu, Y. Takahashi, M. Wang and K. Tada:
"Analysis of Microwave Characteristics of Coplanar Traveling Wave Electrodes on III-V Semiconductor
with N+ Doped Layer,"
IEEE J. of Lightwave Technology, Vol.13, No.10, pp. 2075-2081,1995.
Y. Takahashi and K. Ohnishi:
"Estimation of Insulation Layer Conductance in MNOS Structure,"
IEEE Trans. Electron Devices, ED-40, No. 11, pp. 2006-2010, 1993.
金泰弘，大西一功：
「２層窒化膜MNOS構造の電荷注入，保持特性」
電子情報通信学会論文誌，J74-C-II，No. 8，pp. 662-664, 1991.
大西一功，三浦克宏：
「PN接合逆方向降伏現象を利用したMNOS半導体不揮発性メモリ素子の電子注入特性」
電子情報通信学会論文誌，J74-C-II，No.4，pp. 211-217, 1991.
金泰弘，大西一功：
「光CVD法により堆積した窒化シリコン膜の性質およびMNOSメモリ特性」
電子情報通信学会論文誌，J74-C-II，No. 1，pp. 26-33, 1991.
国際会議
Yan Wu, Kuniyuki Kakushima, Yoshihiro Takahashi,
"Formation of Magnesium Silicide for Source Material in Si Based Tunnel FET
by Annealing of Mg/Si Thin Film Multi-Stacks",
The 17th International Workshop on Junction Technology (IWJT), S7-2, June. 2017.
Y. Wu, K. Yamamoto, Y. Wada, and Y. Takahashi:
“The Impact of Tunnel FET on Irradiation Effects”,
International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications,
11-8C, Nov. 2015.
T. Uehara, K. Nakagawa, Y. Takahashi, Y. Ashizawa, and J. Higashio:
”ELECTROSTATIC FORCE MICROSCOPE APPLICATIONS FOR THE RESEARCH OF PIEZO
ACTUATOR AND SEMICONDUCTOR”,
The 67th ICAT/JTTAS Joint International Smart Actuators/Sensors Symposium, Oct. 2014.
S. Ogura, T. Komiyama, Y. Takahashi, T. Makino, S. Onoda, T. Hirao, T. Oshima:
“Suppression of Heavy-Ion induced Current in SOI Device”,
International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications,
EP-1, Dec. 2012.
Y. Takahashi, H. Takeyasu, Y. Okazaki, T. Hirao, S. Onoda, and T. Ohshima:
“Heavy-Ion Induced Current in SOI Junction Diode”,
International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications,
P-02, Oct. 2010.
Y. Takahashi, M. Fugane, R. Imagawa, K. Ohnishi, T. Hirao, S. Onoda, and T. Ohshima:
“Heavy-Ion induced Gate Current in MOSFET”,
8th European Workshop on Radiation Effects on Components and Systems, H3, Finland, Sept. 2008.
Y. Takahashi, M. Fugane, R. Imagawa, K. Ohnishi, T. Hirao, S. Onoda, and T. Ohshima:
“Heavy-Ion induced Gate Current in MOSFET”,
International Symposium on Integration of MEMS and Intelligent Electronics, P-09, Aug. 2008.
T. Hirao, Y. Takahashi, H. Ohyama:
”Investigation of the Radiation Effects of Semiconductor using the Irradiation Facilities in
Takasaki Advanced Radiation Research Institute”,
International Symposium on Integration of MEMS and Intelligent Electronics, P-10, Aug. 2008.
T. Ohshima, S. Onoda, T. Hirao, Y. Takahashi, G. Vizkelethy, B. L. Doyle:
“Change in Ion Beam Induced Current from Si Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors after
Gamma-Ray Irradiation”,
20th International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry,
RE03-P5, Fort Worth, Texas U.S.A., Aug. 2008.
A. Makihara, T. Ebihara, T. Yokose, Y. Tsuchiya, Y. Amano, H. Shindou, S. Kuboyama, R. Imagawa,
Y. Takahashi, and K. Ohnishi:
“New SET Characterization Technique Utilizing SPICE for Fully Depleted CMOS/SOI Digital Circuitries”,
2008 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, PA-4, Tucson (U.S.A.), July. 2008.
Y. Takahashi, T. Ohki, T. Nagasawa, Y. Nakajima, R. Kawanabe, K. Ohnishi, T. Hirao, S. Onoda,
K. Mishima, K. Kawano, and H. Itoh:
"Heavy-ion Induced Current through an Oxide Layer"
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application,
Oct. 2006.
A. Makihara, H. Asai, Y. Tsuchiya, Y. Amano, M. Midorikawa, H. Shindou, S. Kuboyama, S. Onoda,
T. Hirao, Y. Nakajima, Y. Takahashi, and K. Ohnishi:
“Optimization for SEU/SET immunity on 0.15um Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Device"
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application,
Oct. 2006.
A. Makihara, M. Midorikawa, H. Shindou, S. Kuboyama, T. Hirao, S. Onoda, T. Ohki, Y. Takahashi:
"Optimization for SEU/SET Immunity on 0.15um Fully Depleted CMOS/SOI Digital Logic Device"
International Nuclear and Space Radiation Effects Conference, July 2006.
Y. Takahashi, T. Ohki, T. Nagasawa, Y. Nakajima, R. Kawanabe, K. Ohnishi, T. Hirao, S. Onoda,
K. Mishima, K. Kawano, H. Itoh:
"Heavy-Ion Induced Current through an Oxide Layer"
10th International Conference on Nuclear Microprobe Technology and Applications, July 2006.
K. Ohnishi:
"Progress of the Radiation Effects Research on Semiconductor Devices in Japan"
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application,
Oct. 2004.
T. Abe, K. Ohnishi, Y. Takahashi, T. Hirao:
"Consideration to Reliability of Laser Testing for Evaluating SEU Tolerance"
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application,
Oct. 2004.
Y. Takahashi, T. Shibata, Y. Murase, K. Ohnishi, T. Hirao, T. Kamiya:
"Heavy-Ion induced Current in MOS Structure"
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application,
Oct. 2004.
T. Hirao, J.S. Laird, S. Onoda, T. Shibata, T. Wakasa, T. Yamakawa, H. Abe, Y. Takahashi,
K. Ohnishi, and H. Itoh:
"Charge collected in Si MOS Capacitors and SOI Devices P+N Diodes due to Heavy Ion Radiation"
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application,
Oct. 2004.
T. Hirao, T. Shibata, J. S. Laird, S. Onoda, Y. Takahashi, K. Ohnishi, and T. Kamiya:
"Experimental Study of Single-Event Transient Current in SOI Devices"
European conference on Radiation and its effects on components and system, Sept. 2003.
K. Ohnishi and Y. Takahashi:
"Total Dose Effect on MIS structures"
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application,
Oct. 2002.
K. Ohnishi and A. Ito:
"Characterization of Anodic Oxide Films in Pure Water"
Proc. of the 3rd International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials,
p. 543, Nov. 2000.
Y. Takahashi and K. Ohnishi:
"Total Dose Effect of Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Structure"
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application,
Oct. 2000.
Y. Takahashi, K. Ohnishi, T. Fujimaki, and M. Yoshikawa:
"Radiation-induced Trapped Charge in Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Structures"
Nuclear and Space Radiation Effects Conference, PE-2, July 1999.
X.W. Wang, X. Guo, T.P. Ma, G.J. Cui, T. Tamagawa, B. Halpern, Y. Takahashi:
"Effect of Process Temperature on SiC MOS Properties"
Conference on Solid State Device and Materials, C-10-4, Sept. 1998.
Y. Takahashi, K. Ohnishi, T. Fujimaki, M. Yoshikawa:
"Radiation-induced trapped charge in Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor structure"
The International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application,
Dec. 1998.
X.W. Wang, Y. Takahashi, T.P. Ma, G.J. Cui, T. Tamagawa, B. Halpern, J.J. Schmitt:
"Electrical Properties and Reliability of Vapor Jet Deposited Oxide on SiC"
International Conference on Silicon Carbide, III-nitrides and Related Materials, Th2b-6, July 1997.
K. Saitoh, M. Yoshikawa, T. Ohshima, H. Itoh, I. Nashiyama, Y. Takahashi, K. Ohnishi:
"Depth Profiling of Oxide-Trapped Charges in 6H-SiC MOS Structures by Slanted Etching Method"
Recent Progress in Accelerator Beam Application, IIP-12, March 1996.
Y.Takahashi, K.Ohnishi and M.Yoshikawa:
"The Change of Depth Profiling of Trapped Charges in Insulator of MIS Structure due to Irradiation,"
The International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application,
March 1996.
K.Ohnishi, Y.Takahashi, S.Imaki, K.Okada and M.Yoshikawa:
"A Slanted Etching Method to Analyze the Trapped Charge Distribution in the Insulators of MIS structures,"
International Symposium for Testing and Failure Analysis, Nov 1995.
Y.Takahashi, S.Imaki, K.Ohnishi and M.Yoshikawa:
"Test Structure for Determining the Charge Distribution in the Oxide of MOS Structure,"
IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, Vol.8, March 1995.
Y.Takahashi, K.Ohnishi and K.Asaka:
"gamma-ray Irradiation Effects in MNOS Structure,"
The International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application,
Feb. 1992.
研究会報告
高橋芳浩：「半導体デバイスの放射線効果基礎」，第5回半導体デバイスの放射線照射効果研究会，Mar. 2016.
高橋芳浩：「半導体デバイスの放射線効果基礎」，第4回半導体デバイスの放射線照射効果研究会，Feb. 2015.
呉研，高橋芳浩：「Tunnel FET構造による放射線照射誘起寄生バイポーラ効果低減」，
日本信頼性学会第23回春季信頼性シンポジウム, Jun. 2015.
高橋芳浩：「半導体デバイスの宇宙放射線効果基礎」，第1回半導体デバイスの放射線照射効果研究会，Feb. 2012.
高橋芳浩，小倉俊太，小宮山隆洋，牧野高紘，小野田忍，平尾敏雄，大島武：
「SOIデバイスの重イオン照射誘起過渡電流抑制」，第7回高崎量子応用研究シンポジウム，1P-06，Oct. 2012.
小倉俊太，高橋芳浩，牧野高紘，小野田忍，平尾敏雄，大島武：
「SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討」，
日本信頼性学会第20回春季信頼性シンポジウム，Jun. 2012.
高橋芳浩，岡崎勇志，小倉俊太，平尾敏雄，小野田忍，大島武：
「SOIデバイスにおける重イオン照射誘起電流の抑制」，第6回高崎量子応用研究シンポジウム，2P-04, Oct. 2011.
高橋芳浩，大脇章弘，竹安秀徳，平尾敏雄，小野田忍，牧野高紘，大島武：
「SOI-pnダイオードにおける重イオン照射誘起電流」，第5回高崎量子応用研究シンポジウム，1P-05, Oct. 2010.
高橋芳浩：「SOIデバイスの重イオン照射誘起電流」，第1回半導体材料・デバイスフォーラム，Feb. 2010.
高橋芳浩，今川良，大脇章弘，竹安秀徳，平尾敏雄，小野田忍，牧野高紘，大島武：
「SOI-pnダイオードにおける重イオン照射誘起電流」，第4回高崎量子応用研究シンポジウム，1P-02, Oct. 2009.
高橋芳浩：「SOIデバイスのシングルイベント効果の特徴」，第19回高温エレクトロニクス研究会，Mar. 2009.
高橋芳浩，大西一功，府金賢，今川良，大脇章弘，平尾敏雄，小野田忍，大島武：
「MOS構造素子のシングルイベント効果の解明」，第3回高崎量子応用研究シンポジウム，1-2，Oct. 2008.
平尾敏雄，高橋芳浩，小野田忍，大島武：「MOSデバイスにおける重イオン照射誘起電流」，
第21回タンデム加速器およびその周辺技術の研究会，3.18, July. 2008.
今川良，府金賢，大西一功，高橋芳浩，平尾敏雄，小野田忍，大島武：
「MOSデバイスにおける重イオン照射誘起過渡電流とトータルドーズとの関係」，
第21回タンデム加速器およびその周辺技術の研究会，3.9, July. 2008.
高橋芳浩：「MOSデバイスのハードエラーおよびその抑制」
応用物理学会学術講演会シンポジウム，6p-ZE-9，Sept. 2007.
大西一功，高橋芳浩，中嶋康人，長澤賢治，府金賢，今川良，野本敬介，平尾敏雄，小野田忍，三島健太：
「SOIデバイスにおけるイオン照射誘起電荷の輸送現象の解明」
高崎量子応用研究シンポジウム，1P-02，Jun. 2007.
平尾敏雄，小野田忍，三島健太，大島武，及川将一，佐藤隆博，神谷富裕，河野勝泰，高橋芳浩，大西一功:
「マイクロビームを利用したシングルイベント評価研究 -JAEAのシングルイベント研究の現状-」
半導体の放射線照射効果研究会, Dec. 2006.
高橋芳浩，長澤賢治，中嶋康人，府金賢，大西一功，平尾敏雄，小野田忍，三島健太，河野勝泰，伊藤久義：
「MOS構造における重イオン照射誘起過渡電流」
半導体の放射線照射効果研究会, Dec. 2006.
槇原亜紀子，浅井弘彰，土屋義久，天野幸男，緑川正彦，新藤浩之，久保山智司，小野田忍，平尾敏雄，
中嶋康人，高橋芳浩，大西一功：
「完全空乏型0.15um CMOS/SOI民生プロセスデバイスへの放射線対策の最適化」
半導体の放射線照射効果研究会, Dec. 2006.
大西一功：
「半導体素子に対する放射線照射効果」
半導体の放射線照射効果研究会, Dec. 2006.
大西一功，高橋芳浩，新垣久，藤田明良，南卓士：
「陽極酸化法によるHfO2下地酸化膜の成長」
応用物理学会特別研究会「ゲートスタック研究会」, Feb. 2006.
大木隆広，川鍋龍，長澤賢治，中嶋康人，高橋芳浩，大西一功，平尾敏雄，小野田忍，三島健太，
河野勝泰，伊藤久義：「酸化膜を介した重イオン照射誘起電流」
第6回半導体の放射線照射効果研究会, Dec. 2005.
阿部哲男，大木隆広，平尾敏雄，高橋芳浩，大西一功：
「SRAMのシングルイベントアップセット評価」
第5回半導体の放射線照射効果研究会, Feb. 2005.
芝田利彦，平尾敏雄，J.S.Laird，小野田忍，神谷富裕，村瀬祐児，高橋芳浩，大西一功：
「SOI素子のシングルイベント耐性に関する研究 ～MOSキャパシタにおけるシングルイベント過渡電流の測定～」
第4回半導体の放射線照射効果研究会, Feb. 2004.
大西一功：
「SOI MOS素子の耐放射線性」
第3回半導体の放射線照射効果研究会, Feb. 2003.
芝田利彦，阿部哲男，高橋芳浩，大西一功：
「半導体記憶素子のマッピング方法の検討」
第3回半導体の放射線照射効果研究会, Feb. 2003.
藤巻剛，大西一功，高橋芳浩，吉川正人：
「MNOS構造のトータルドーズ効果における絶縁膜厚依存性」
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会，SDM98-220，March 1999．
平尾敏雄，梨山勇，塩野登，穴山汎，根本規生，松田純夫，大西一功：
「SOI構造における重イオン誘起電荷の測定」
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会，SDM97-194，Feb. 1998．
山本克美，大西一功，高橋芳浩，佐藤順平：
「フラッシュEEPROMのチャージポンピング電流とメモリ特性劣化」
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会，SDM95-20，May 1995.
出口泰，大西理雄，高橋芳浩，大西一功：
「光CVD法によるシリコン窒化膜の熱アニール効果」
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会，SDM94-148，Nov. 1994.
森克文，出口泰，高橋芳浩，大西一功：
「光CVD法によるシリコン窒化膜の評価」
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会，SDM93-56，July 1993.
岡田耕平，今木俊作，高橋芳浩，吉川正人，大西一功：
「MOS構造のγ線照射前後での酸化膜中電荷分布評価」
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会，SDM93-59，July 1993.
高橋芳浩，朝香勝征，大西一功：
「γ線照射時におけるMNOS構造の電荷捕獲機構」
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会，SDM92-26，July 1992.
全国大会・その他
２０２３年度 電子情報通信学会 ： ２件
日本大学理工学部学術講演会： ７件
２０２２年度 応用物理学会 ： １件
日本大学理工学部学術講演会： １１件
２０２１年度 応用物理学会 ： １件
２０２０年度 応用物理学会 ： ２件
電子情報通信学会 ： １件
日本大学理工学部学術講演会： ５件
２０１９年度 応用物理学会 ： ４件
日本大学理工学部学術講演会： １２件
２０１８年度 応用物理学会 ： ２件
電子情報通信学会 ： １件
日本大学理工学部学術講演会： １１件
２０１７年度 応用物理学会 ： ２件
日本大学理工学部学術講演会： ６件
２０１６年度 応用物理学会 ： ３件
日本大学理工学部学術講演会： ５件
２０１５年度 応用物理学会 他 ： ２件
日本大学理工学部学術講演会： ４件
２０１４年度 応用物理学会 ： ４件
日本大学理工学部学術講演会： １０件
２０１３年度 日本大学理工学部学術講演会： ６件
２０１２年度 日本大学理工学部学術講演会： ７件
２０１１年度 応用物理学会 ： １件
日本大学理工学部学術講演会： ８件
２０１０年度 応用物理学会 ： １件
日本大学理工学部学術講演会： ７件
２００９年度 日本大学理工学部学術講演会： ５件
２００８年度 日本大学理工学部学術講演会： ５件
２００７年度 応用物理学会 他 ： ５件
日本大学理工学部学術講演会： ７件
２００６年度 応用物理学会 他 ： ２件
日本大学理工学部学術講演会： ８件
２００５年度 応用物理学会 他 ： ４件
日本大学理工学部学術講演会： ８件
２００４年度 応用物理学会 他 ： ３件
日本大学理工学部学術講演会： ９件
２００３年度 日本大学理工学部学術講演会： ８件
２００２年度 応用物理学会 他 ： ２件
日本大学理工学部学術講演会： ８件
２００１年度 応用物理学会 他 ： ２件
日本大学理工学部学術講演会： ５件
２０００年度 応用物理学会 他 ： ２件
日本大学理工学部学術講演会： ５件
１９９９年度 日本大学理工学部学術講演会： ３件
１９９８年度 応用物理学会 他 ： ５件
日本大学理工学部学術講演会： ８件
１９９７年度 日本大学理工学部学術講演会： ４件
１９９６年度 応用物理学会 他 ： ４件
日本大学理工学部学術講演会： ６件