光CVD法を用いたシリコン系絶縁膜の低温形成

　CVD (Chemical Vaper Deposition) 法は，薄膜堆積法として広く用いられています．成膜温度の低温化のためには，一般的にプラズマが用いられますが，デバイス表面へのプラズマダメージなどが問題となっています．そこで本研究では，紫外線エネルギーを用いたCVDの低温化について研究を行っています．これまでに，光CVD法を用いたシリコン窒化膜の成膜について検討を行ってきました．シリコン窒化膜は，シリコン酸化膜より誘電率が大きく，また緻密な構造であるため，集積回路のパッシベーション膜やMNOS不揮発性メモリのゲート絶縁膜などに用いられています．その結果，300℃程度の低温で成膜できることを確認しました．ただし，熱CVD法により形成した膜に比べて，絶縁性・界面特性におとることも確認しています．現在，装置構造やプロセス条件の最適化による電気的特性改善を続けており，次世代の超高密度集積回路の製膜プロセスへの応用の可能性について検討を行っています．