デバイスシミュレーションを用いた特性解析

　集積回路の各種電界的特性を評価する際には，実際のデバイスを作製し測定するのが理想です．ただし，半導体集積回路は微細化が進み，現在では最小加工寸法は数10nmになっており，デバイス作製には多大な費用・時間が必要になります．そこで必要になるのがシミュレーション技術です．我々は，デバイスシミュレーションを用いて放射線（高エネルギー粒子線）が半導体デバイスに照射した際の挙動を評価し，放射線耐性に優れたデバイス構造の実現を目指して研究を行っています．