薄い活性層内で発生した電荷のみが回路に収集されると考えられ，放射線耐性に優れた構造として期待されています．本研究室では，宇宙空間においても地上と同様，集積回路の高機能性・高信頼性を維持することを目的に次のような研究に取り組んでいます．

1) 埋め込み酸化膜を介した電荷収集の抑制

　SOIデバイスでは薄い活性層のみで放射線により発生した電荷が回路誤動作に寄与していると予想されてきました．しかし，支持基板内で発生した電荷の一部が埋め込み酸化膜を介して収集されることも明らかになっており，放射線耐性向上を妨げています．本研究では重イオン照射誘起電流の測定結果より，支持基板表面に生成される空乏層の存在が収集電荷量増加の原因であることを明らかにしてきました．現在，支持基板で発生した電荷がデバイス誤動作に及ぼす影響について検討し，宇宙空間においても高い信頼性を有する半導体デバイスの開発を目指しています．

2) 新規半導体デバイスに対する放射線商社効果

　MOSFET（MOS型電界効果トランジスタ）が重イオンなどの照射を受けた際のレスポンスについては，実験やシミュレーションを通して解明が進んでいる．一方，更なる低消費電力化などを目的に新規半導体デバイスが提案されている．本研究では，新規構造デバイスに対する放射線照射効果について評価することにより，今後の宇宙部品としての応用について検討している．